長(zhǎng)沙萬(wàn)特新材料氧化銦錫（ITO）因?yàn)槠湓诳梢姽鈪^(qū)的高透射率和低電阻率，作為一種透明導(dǎo)電薄膜被廣泛的應(yīng)用于太陽(yáng)能電池和液晶顯示器等各種光電設(shè)備中。作為一種能被用于高溫的壓阻材料，國(guó)外對(duì)其壓阻效應(yīng)已經(jīng)有了滿足的注重，新的研討還在不斷地打開，可是國(guó)內(nèi)對(duì)此的研討還適當(dāng)少。

    本文意在經(jīng)過(guò)丈量氧化銦錫的電阻溫度系數(shù)（TCR）和室溫下的呼應(yīng)因子來(lái)研討氧化銦錫的壓阻效應(yīng)。 運(yùn)用電子束蒸發(fā)技能，選擇適宜的成長(zhǎng)參數(shù)在玻璃襯底上制備所需的氧化銦錫薄膜，進(jìn)行了化學(xué)成分、晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)等慣例丈量，并研討了退火對(duì)薄膜性質(zhì)的影響。然后用光刻和刻蝕的辦法制作電學(xué)測(cè)驗(yàn)所需的圖形。對(duì)于ITO薄膜的電學(xué)測(cè)驗(yàn)包含對(duì)其電阻溫度系數(shù)和呼應(yīng)因子的丈量?jī)刹糠?。前者是用黑體輻射來(lái)改動(dòng)ITO樣品的溫度，丈量在不同溫度下的薄膜電阻值，并建立了一個(gè)理論模型來(lái)擬合溫度下降階段ITO樣品電阻值的改動(dòng)，并從擬合參數(shù)中得到其電阻溫度系數(shù)和激活能。后者是在室溫下，經(jīng)過(guò)改動(dòng)薄膜一端的位移，丈量不同應(yīng)變下ITO圖形樣品的電阻值，核算得到其呼應(yīng)因子。因?yàn)镮TO樣品的電阻值在丈量過(guò)程中存在一個(gè)不能被忽視的跟著時(shí)刻的漂移量，所以在核算過(guò)程中考慮了這一漂移量帶來(lái)的影響。同時(shí)還估算了因?yàn)闇y(cè)驗(yàn)電流發(fā)生的焦耳熱引起的溫升，證明溫升引起的電阻改動(dòng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于壓阻效應(yīng)，可以疏忽。試驗(yàn)中分別丈量ITO樣品在拉應(yīng)變和壓應(yīng)變不同條件下的呼應(yīng)因子，得到的呼應(yīng)因子大約為-2.1。