湖南氧化銦錫（ITO）因為其在可見光區(qū)的高透射率和低電阻率，作為一種透明導電薄膜被廣泛的應用于太陽能電池和液晶顯示器等各種光電設備中。作為一種能被用于高溫的壓阻材料，國外對其壓阻效應已經有了滿足的重視，新的研討還在不斷地展開，可是國內對此的研討還適當少。本文意在經過丈量氧化銦錫的電阻溫度系數(shù)（TCR）和室溫下的呼應因子來研討氧化銦錫的壓阻效應。 運用電子束蒸發(fā)技能，選擇合適的生長參數(shù)在玻璃襯底上制備所需的氧化銦錫薄膜，進行了化學成分、晶體結構、光學性質等慣例丈量，并研討了退火對薄膜性質的影響。然后用光刻和刻蝕的辦法制造電學測驗所需的圖形。關于ITO薄膜的電學測驗包含對其電阻溫度系數(shù)和呼應因子的丈量兩部分。前者是用黑體輻射來改變ITO樣品的溫度，丈量在不同溫度下的薄膜電阻值，并建立了一個理論模型來擬合溫度下降階段ITO樣品電阻值的改變，并從擬合參數(shù)中得到其電阻溫度系數(shù)和激活能。后者是在室溫下，經過改變薄膜一端的位移，丈量不同應變下ITO圖形樣品的電阻值，計算得到其呼應因子。因為ITO樣品的電阻值在丈量過程中存在一個不能被忽視的隨著時間的漂移量，所以在計算過程中考慮了這一漂移量帶來的影響。一起還估算了因為測驗電流產生的焦耳熱引起的溫升，證明溫升引起的電阻改變遠遠小于壓阻效應，可以忽略。實驗中分別丈量ITO樣品在拉應變和壓應變不同條件下的呼應因子，得到的呼應因子大約為-2.1。